P-канальный обогащение режим MOSFET, ток: -160A, напряжение: -60V
Артикул: C2763411
Part Number: HYG045P06LA1B
Производитель: HUAYI
от 1.327100 ₽
В наличии: 100 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.021000 ₽ |
| 10 шт. | 1.768400 ₽ |
| 30 шт. | 1.629000 ₽ |
| 100 шт. | 1.471500 ₽ |
| 500 шт. | 1.358300 ₽ |
| 800 шт. | 1.327100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 160A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 250W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 6mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 319nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 16.993nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 444pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 890pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
250W 60V 160A 2.5V 6mΩ@4.5V 1 P-канальный P-канальный TO-263-2 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)