HUAYI HYG050N08NS1B
Артикул: C2763407
Part Number: HYG050N08NS1B
Производитель: HUAYI
от 0.583200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.878000 ₽ |
| 10 шт. | 0.757500 ₽ |
| 30 шт. | 0.697200 ₽ |
| 100 шт. | 0.637000 ₽ |
| 500 шт. | 0.601100 ₽ |
| 800 шт. | 0.583200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 80V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 130A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 187.5W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 68nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4.28nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 25pF |
Описание
80V 130A 4V 187.5W 5mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-263-2 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)