Обогащение режим N-канальный мощность MOSFET, ток:60A, напряжение:100V
Артикул: C2762911
Part Number: SFG10S10PF
Производитель: ORIENTAL SEMI
от 0.467900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.485800 ₽ |
| 10 шт. | 0.477700 ₽ |
| 30 шт. | 0.472800 ₽ |
| 100 шт. | 0.467900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 60A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 107W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 10mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 28.9nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.998nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 7.1pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 322pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
107W 100V 60A 2.5V 10mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)