Обогащение режим N-канальный мощность MOSFET, ток:100A, напряжение:80V
Артикул: C2762909
Part Number: SFG08R06DF
Производитель: ORIENTAL SEMI
от 0.391700 ₽
В наличии: 2500 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.655600 ₽ |
| 10 шт. | 0.542500 ₽ |
| 30 шт. | 0.495000 ₽ |
| 100 шт. | 0.434300 ₽ |
| 500 шт. | 0.408100 ₽ |
| 1000 шт. | 0.391700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 80V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 100A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 148W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 6.5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 55.2nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.8699nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 50.9pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 1.3042nF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
148W 80V 100A 2.5V 6.5mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252-2 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)