Обогащение режим N-канальный мощность MOSFET, ток: 8A, напряжение: 600V
Артикул: C2762903
Part Number: OSG60R580FTF
Производитель: ORIENTAL SEMI
от 0.449500 ₽
В наличии: 990 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.569300 ₽ |
| 10 шт. | 0.518400 ₽ |
| 50 шт. | 0.495500 ₽ |
| 100 шт. | 0.469200 ₽ |
| 500 шт. | 0.456100 ₽ |
| 1000 шт. | 0.449500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 600V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 8A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 26W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.9V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 580mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 8.7nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 410.8pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 3.1pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 41.7pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±30V |
Описание
26W 600V 8A 3.9V 580mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220F-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)