Диод кремний эпитаксиальный планарный тип
Артикул: C2762670
Part Number: 1SV325H3F
Производитель: TOSHIBA
от 0.255600 ₽
В наличии: 1464 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.353200 ₽ |
| 10 шт. | 0.312500 ₽ |
| 30 шт. | 0.294600 ₽ |
| 100 шт. | 0.271800 ₽ |
| 500 шт. | 0.262100 ₽ |
| 1000 шт. | 0.255600 ₽ |
Характеристики
| Конфигурация диодов | Standalone |
| Постоянное обратное напряжение (Vr) | 10V |
| Ёмкость диода | 12pF@4V,1MHz |
| Коэффициент перекрытия по ёмкости | 4.3@C1V/C4V |
| Последовательное сопротивление (Rs) | 400mΩ |
Описание
4.3@C1V/C4V автономный 10V 400mΩ 12pF@4V,1MHz SOD-523 диоды переменной ёмкости (варикапы, варакторы) RoHS