Hangzhou Silan Microelectronics SGT50T65FD1PN
Артикул: C2761787
Part Number: SGT50T65FD1PN
Производитель: Hangzhou Silan Microelectronics
от 0.713200 ₽
В наличии: 4170 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.368900 ₽ |
| 10 шт. | 1.157400 ₽ |
| 30 шт. | 0.927900 ₽ |
| 90 шт. | 0.796800 ₽ |
| 510 шт. | 0.739400 ₽ |
| 1200 шт. | 0.713200 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 235W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 100A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2V@50A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 46nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5V |
| Входная ёмкость (Cies) | 4.5nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 100pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 42pF |
| Время задержки включения Td(on) | 45ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 130ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 3.8mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 33ns |
Описание
235W 100A 650V FS (ограничение поля) TO-3P-3 одиночные IGBT-транзисторы