Hangzhou Silan Microelectronics SGT40N60FD2PN
Артикул: C2761786
Part Number: SGT40N60FD2PN
Производитель: Hangzhou Silan Microelectronics
от 0.747400 ₽
В наличии: 9 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.463700 ₽ |
| 10 шт. | 1.239100 ₽ |
| 30 шт. | 0.976900 ₽ |
| 90 шт. | 0.837600 ₽ |
| 510 шт. | 0.775300 ₽ |
| 1200 шт. | 0.747400 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 380W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 40A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | 200uA |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.8V |
| Заряд затвора (Qg) | 100nC@300V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5V |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.85nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 190pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 50pF |
| Время задержки включения Td(on) | 16ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 110ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.8mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 800uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 32ns |
Описание
380W 40A 600V FS (ограничение поля) TO-3P-3 одиночные IGBT-транзисторы