Транзистор предварительное смещение NPN 40V SOT-523
Артикул: C2760584
Part Number: DDTC114YE-7-F
Производитель: DIODES
от 0.183600 ₽
В наличии: 45 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.359100 ₽ |
| 50 шт. | 0.285800 ₽ |
| 150 шт. | 0.254400 ₽ |
| 500 шт. | 0.215100 ₽ |
| 3000 шт. | 0.197700 ₽ |
| 6000 шт. | 0.187200 ₽ |
| 9000 шт. | 0.185000 ₽ |
| 21000 шт. | 0.183600 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 68 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.4V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 300mV |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | - |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 1 NPN со встроенными резисторами смещения транзистор 40V 100mA 150mW поверхностный монтаж SOT-523