onsemi MMBT6427LT1G

onsemi MMBT6427LT1G

Артикул: C274695 Part Number: MMBT6427LT1G Производитель: onsemi
от 0.019200 ₽ В наличии: 6790 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
10 шт. 0.041500 ₽
100 шт. 0.033000 ₽
300 шт. 0.028700 ₽
3000 шт. 0.023000 ₽
6000 шт. 0.020500 ₽
9000 шт. 0.019200 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 40V
Ток коллектора (Ic) 500mA
Рассеиваемая мощность (Pd) 225mW
Рабочая температура -55℃~+150℃@(Tj)
Коэффициент усиления по постоянному току 20000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.5V
Ток отсечки коллектора 50nA
Напряжение эмиттер–база VEBO 12V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) 2V
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) 1.75V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) -

Описание

40V 20000 500mA NPN SOT-23 одиночные биполярные транзисторы RoHS