onsemi MJ11016G

onsemi MJ11016G

Артикул: C2731 Part Number: MJ11016G Производитель: onsemi
от 6.524500 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 8.550400 ₽
10 шт. 7.770600 ₽
30 шт. 7.307600 ₽
100 шт. 6.838100 ₽
500 шт. 6.622000 ₽
1000 шт. 6.524500 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 120V
Ток коллектора (Ic) 30A
Рассеиваемая мощность (Pd) 200W
Рабочая температура -55℃~+200℃@(Tj)
Коэффициент усиления по постоянному току 1000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 3V;4V
Ток отсечки коллектора -
Напряжение эмиттер–база VEBO 5V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) 3.5V;5V
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) -
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 4MHz

Описание

120V 1000 30A NPN TO-204(TO-3) одиночные биполярные транзисторы RoHS