1200V SiC траншейный MOSFET
Артикул: C27274434
Part Number: AIMBG120R160M1XTMA1
Производитель: Infineon
от 5.466500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 5.813500 ₽ |
| 10 шт. | 5.664800 ₽ |
| 30 шт. | 5.565700 ₽ |
| 100 шт. | 5.466500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 17A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 106W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5.1V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 200mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 14nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 350pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 1pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 20pF |
Описание
1.2kV 17A 5.1V 106W 200mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-263-7 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS