Infineon IMBG120R026M2HXTMA1
Артикул: C27227247
Part Number: IMBG120R026M2HXTMA1
Производитель: Infineon
от 11.002500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 11.399900 ₽ |
| 10 шт. | 11.002500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 75A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 335W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5.1V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 25.4mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 60nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.99nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 7.4pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 85pF |
Описание
1.2kV 75A 5.1V 335W 25.4mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-263-7 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS