P-канальный обогащение режим MOSFET, ток: -11.5A, напряжение: -12V
Артикул: C2693574
Part Number: ME4413D-G
Производитель: MATSUKI
от 0.204100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.210100 ₽ |
| 10 шт. | 0.207600 ₽ |
| 30 шт. | 0.205800 ₽ |
| 100 шт. | 0.204100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 12V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 11.5A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2.78W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 26mΩ@1.8V |
| Заряд затвора (Qg) | 39nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.7nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 240pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 760pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±8V |
Описание
2.78W 12V 11.5A 1V 26mΩ@1.8V 1 P-канальный P-канальный SOP-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)