Jilin Sino-Microelectronics JT015N065FED

Jilin Sino-Microelectronics JT015N065FED

Артикул: C2693274 Part Number: JT015N065FED Производитель: Jilin Sino-Microelectronics
от 0.679100 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 1.078800 ₽
10 шт. 0.924500 ₽
50 шт. 0.825400 ₽
100 шт. 0.749000 ₽
500 шт. 0.703500 ₽
1000 шт. 0.679100 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT FS (Field Stop)
Рассеиваемая мощность (Pd) 31W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 650V
Ток коллектора (Ic) 30A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -55℃~+150℃@(Tj)
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.6V@15A,15V
Заряд затвора (Qg) -
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 6.5V@250uA
Входная ёмкость (Cies) 880pF@25V
Выходная ёмкость (Coes) -
Проходная ёмкость (Cres) -
Время задержки включения Td(on) -
Время задержки выключения Td(off) -
Энергия потерь при включении (Eon) -
Энергия потерь при выключении (Eoff) -
Время обратного восстановления (trr) -

Описание

31W 30A 650V FS (ограничение поля) TO-220MF одиночные IGBT-транзисторы