600V N-канальный MOSFET, ток:4.0A, напряжение пробоя:600V
Артикул: C2689093
Part Number: HB4N60(BEB)
Производитель: HL(Haolin Elec)
от 0.160500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.335900 ₽ |
| 50 шт. | 0.257800 ₽ |
| 150 шт. | 0.227900 ₽ |
| 500 шт. | 0.190500 ₽ |
| 2500 шт. | 0.173900 ₽ |
| 5000 шт. | 0.163900 ₽ |
| 10000 шт. | 0.161900 ₽ |
| 20000 шт. | 0.160500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 600V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 4A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 33W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 2Ω@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 20nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 780pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 14pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 85pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±30V |
Описание
33W 600V 4A 4.5V 2Ω@10V 1 N-канальный N-канальный TO-262 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)