P-канальный обогащение режим мощность MOSFET, ток: -50A, напряжение: -30V
Артикул: C2688958
Part Number: HD60P03(AFE)
Производитель: HL(Haolin Elec)
от 0.094000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.098800 ₽ |
| 50 шт. | 0.096700 ₽ |
| 150 шт. | 0.095400 ₽ |
| 500 шт. | 0.094000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 50A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 60W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 30mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 30nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.7nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 108pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 258pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
60W 30V 50A 3V 30mΩ@4.5V 1 P-канальный P-канальный TO-252 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)