ROHM RGT00TS65DGC11
Артикул: C2688828
Part Number: RGT00TS65DGC11
Производитель: ROHM
от 1.273000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.170400 ₽ |
| 10 шт. | 1.854900 ₽ |
| 30 шт. | 1.605500 ₽ |
| 100 шт. | 1.403900 ₽ |
| 500 шт. | 1.311500 ₽ |
| 1000 шт. | 1.273000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 277W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 85A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.65V@50A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 94nC@50A,15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 6V@34.7mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.77nF@30V |
| Выходная ёмкость (Coes) | 106pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 43pF |
| Время задержки включения Td(on) | 42ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 137ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | - |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | - |
| Время обратного восстановления (trr) | 54ns |
Описание
277W 85A 650V TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS