650V 25A ограничение поля траншейный IGBT
Артикул: C2688826
Part Number: RGT50NL65DGTL
Производитель: ROHM
от 0.906800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.687800 ₽ |
| 10 шт. | 1.431600 ₽ |
| 30 шт. | 1.272000 ₽ |
| 100 шт. | 1.012700 ₽ |
| 500 шт. | 0.939000 ₽ |
| 1000 шт. | 0.906800 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 194W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 48A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.1V@25A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 49nC@300V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5V@17.5mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.4nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 56pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 22pF |
| Время задержки включения Td(on) | 27ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 88ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | - |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | - |
| Время обратного восстановления (trr) | 58ns |
Описание
194W 48A 650V TO-263L одиночные IGBT-транзисторы RoHS