P-канальный обогащение режим мощность MOSFET, ток:82A, напряжение:60V
Артикул: C2686572
Part Number: NCE60P82A
Производитель: NCE
от 0.299700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.655200 ₽ |
| 10 шт. | 0.503700 ₽ |
| 50 шт. | 0.438400 ₽ |
| 100 шт. | 0.358700 ₽ |
| 500 шт. | 0.322000 ₽ |
| 1000 шт. | 0.299700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 82A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 13mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 62.1nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 5.604nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 265pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 356pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
150W 60V 82A 2.4V 13mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный TO-220 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)