Комплементарный обогащение режим MOSFET, ток: 8.2A, напряжение: 30V
Артикул: C268032
Part Number: DMC3016LSD-13
Производитель: DIODES
от 0.313400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.497800 ₽ |
| 50 шт. | 0.419600 ₽ |
| 150 шт. | 0.386100 ₽ |
| 500 шт. | 0.344300 ₽ |
| 2500 шт. | 0.324600 ₽ |
| 5000 шт. | 0.313400 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel + P-Channel |
| Количество | 1 N-Channel + 1 P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 8.2A |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 38mΩ@4.5V |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.6W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Заряд затвора (Qg) | 25.1nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.415nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 110pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 147pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
30V 8.2A 38mΩ@4.5V 1.6W 3V 1 N-канальный + 1 P-канальный SO-8 сборки полевых транзисторов (FET, MOSFET) RoHS