GaN полумостовой мощность каскад

GaN полумостовой мощность каскад

Артикул: C2680255 Part Number: LMG5200MOFR Производитель: TI
от 8.967800 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 12.190000 ₽
10 шт. 10.670300 ₽
30 шт. 9.744800 ₽
100 шт. 8.967800 ₽

Datasheet

Характеристики

Конфигурация управления Half-Bridge
Особенности Dead-time control;Built-in bootstrap diode
Напряжение питания 4.75V~5.25V
Тип нагрузки MOSFET
Количество драйверов 2
Выходной ток низкого уровня (IOL) -
Рабочая температура -40℃~+125℃
Выходной ток высокого уровня (IOH) -
Время нарастания -
Входной логический уровень — высокий 1.87V~2.22V
Ток покоя (Iq) 80uA
Время спада -
Входной логический уровень — низкий 1.48V~1.76V
Задержка распространения tpLH 29.5ns
Задержка распространения tpHL 29.5ns

Описание

2 MOSFET QFM-9(6x8) драйверы полного моста и полумоста (H-моста) RoHS