Один-драйверы затворов для Field-эффект транзисторы (FET) и изолированный-затвор биполярный транзисторы (IGBT)

Один-драйверы затворов для Field-эффект транзисторы (FET) и изолированный-затвор биполярный транзисторы (IGBT)

Артикул: C2677112 Part Number: UCC27531QDBVRQ1 Производитель: TI
от 1.338300 ₽ В наличии: 127 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 2.183100 ₽
10 шт. 1.889000 ₽
30 шт. 1.704300 ₽
100 шт. 1.514800 ₽
500 шт. 1.375900 ₽
1000 шт. 1.338300 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип нагрузки MOSFET;IGBT
Конфигурация управления Low Side
Время задержки высокого уровня 17ns
Время задержки низкого уровня 17ns
Время спада 7ns
Время нарастания 15ns
Выходной ток высокого уровня (IOH) 2.5A
Напряжение питания 10V~35V
Выходной ток низкого уровня (IOL) 5A
Особенности Enable shutdown
Ток покоя -
Входной логический уровень — низкий 800mV~1.2V
Входной логический уровень — высокий 1.8V~2.2V

Описание

Низкий боковой драйвер затвора микросхема MOSFET IGBT SOT-23-6