Микросхема затвор DRVR низкий боковой WSON-6
Артикул: C2677074
Part Number: 1EDN7512G
Производитель: Infineon
от 0.659800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.254600 ₽ |
| 10 шт. | 1.037700 ₽ |
| 30 шт. | 0.918500 ₽ |
| 100 шт. | 0.782200 ₽ |
| 500 шт. | 0.686200 ₽ |
| 1000 шт. | 0.659800 ₽ |
Характеристики
| Тип нагрузки | MOSFET;IGBT |
| Конфигурация управления | Low Side |
| Время задержки высокого уровня | 19ns |
| Время задержки низкого уровня | 19ns |
| Время спада | 4.5ns |
| Время нарастания | 6.5ns |
| Выходной ток высокого уровня (IOH) | 4A |
| Напряжение питания | 4.5V~20V |
| Выходной ток низкого уровня (IOL) | 8A |
| Особенности | Interleaved conduction protection |
| Ток покоя | - |
| Входной логический уровень — низкий | 800mV~1.2V |
| Входной логический уровень — высокий | 1.9V~2.3V |
Описание
Низкий боковой драйвер затвора микросхема MOSFET IGBT WSON-6