2.5A и 5A, 35V макс. VDD один драйверы затворов для Field-эффект транзисторы (FETs) и изолированный затвор биполярный транзисторы (биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT))

2.5A и 5A, 35V макс. VDD один драйверы затворов для Field-эффект транзисторы (FETs) и изолированный затвор биполярный транзисторы (биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT))

Артикул: C2677056 Part Number: UCC27532QDBVRQ1 Производитель: TI
от 1.448400 ₽ В наличии: 9 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 1.539000 ₽
10 шт. 1.499100 ₽
30 шт. 1.473000 ₽
100 шт. 1.448400 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип нагрузки MOSFET;IGBT
Конфигурация управления Low Side
Время задержки высокого уровня 17ns
Время задержки низкого уровня 17ns
Время спада 7ns
Время нарастания 15ns
Выходной ток высокого уровня (IOH) 2.5A
Напряжение питания 10V~32V
Выходной ток низкого уровня (IOL) 5A
Особенности Enable shutdown
Ток покоя 240uA
Входной логический уровень — низкий 6.7V~7.9V
Входной логический уровень — высокий 8.8V~10V

Описание

Низкий боковой драйвер затвора микросхема MOSFET IGBT SOT-23-6