Infineon IMBG120R234M2HXTMA1
Артикул: C26670594
Part Number: IMBG120R234M2HXTMA1
Производитель: Infineon
от 3.431700 ₽
В наличии: 30 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 5.365500 ₽ |
| 10 шт. | 4.621500 ₽ |
| 30 шт. | 4.179000 ₽ |
| 100 шт. | 3.731600 ₽ |
| 500 шт. | 3.525100 ₽ |
| 1000 шт. | 3.431700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 8.1A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 80W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5.1V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 233.9mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 7.9nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 290pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 0.8pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 9.6pF |
Описание
1.2kV 8.1A 5.1V 80W 233.9mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-263-7 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS