Полумостовой GaN драйвер с встроенный бутстреп диод

Полумостовой GaN драйвер с встроенный бутстреп диод

Артикул: C2653820 Part Number: LMG1205YFXT Производитель: TI
от 3.350800 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 5.334800 ₽
10 шт. 4.571400 ₽
30 шт. 4.117300 ₽
250 шт. 3.657100 ₽
500 шт. 3.445900 ₽
1000 шт. 3.350800 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип нагрузки MOSFET
Конфигурация управления Half-Bridge
Время задержки высокого уровня 33.5ns
Время задержки низкого уровня 35ns
Время спада 3.5ns
Время нарастания 7ns
Выходной ток высокого уровня (IOH) 1.2A
Напряжение питания 4.5V~5.5V
Выходной ток низкого уровня (IOL) 5A
Особенности Built-in bootstrap diode
Ток покоя 90uA
Входной логический уровень — низкий 1.48V~1.76V
Входной логический уровень — высокий 1.89V~2.18V

Описание

1.2A 4.5V~5.5V 5A DSBGA-12(1.7x1.9) драйверы затворов RoHS