Полумостовой GaN драйвер с встроенный бутстреп диод

Полумостовой GaN драйвер с встроенный бутстреп диод

Артикул: C2653814 Part Number: LMG1205YFXR Производитель: TI
от 1.664400 ₽ В наличии: 1000 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 2.546100 ₽
10 шт. 2.217500 ₽
30 шт. 2.012500 ₽
100 шт. 1.801000 ₽
500 шт. 1.706600 ₽
1000 шт. 1.664400 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип нагрузки MOSFET
Конфигурация управления Half-Bridge
Время задержки высокого уровня -
Время задержки низкого уровня -
Время спада 3.5ns
Время нарастания 7ns
Выходной ток высокого уровня (IOH) 1.2A
Напряжение питания 4.5V~5.5V
Выходной ток низкого уровня (IOL) 5A
Особенности Built-in bootstrap diode
Ток покоя 90uA
Входной логический уровень — низкий 1.48V~1.76V
Входной логический уровень — высокий 1.89V~2.18V

Описание

1.2A 4.5V~5.5V 5A DSBGA-12 драйверы затворов RoHS