Комплементарный мощность дарлингтона транзисторы

Комплементарный мощность дарлингтона транзисторы

Артикул: C262990 Part Number: TIP120 Производитель: ST
от 0.424900 ₽ В наличии: 965 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.846500 ₽
10 шт. 0.674300 ₽
30 шт. 0.587300 ₽
100 шт. 0.502000 ₽
500 шт. 0.451200 ₽
1000 шт. 0.424900 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 60V
Ток коллектора (Ic) 5A
Рассеиваемая мощность (Pd) 652W
Рабочая температура -
Коэффициент усиления по постоянному току 1000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 2V@3A,12mA
Ток отсечки коллектора 200uA
Напряжение эмиттер–база VEBO 5V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) -
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) 2.5V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) -

Описание

60V 1000 5A NPN TO-220 одиночные биполярные транзисторы RoHS