Транзистор предварительное смещение 50V SOT-563
Артикул: C260942
Part Number: DDC114YH-7
Производитель: DIODES
от 0.051000 ₽
В наличии: 30 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.081800 ₽ |
| 100 шт. | 0.068600 ₽ |
| 300 шт. | 0.062000 ₽ |
| 3000 шт. | 0.057000 ₽ |
| 6000 шт. | 0.053000 ₽ |
| 9000 шт. | 0.051000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 NPN (Pre-Biased) |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 70mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150mW |
| Тип | NPN |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 100 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.4V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 1.9V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV@10mA,0.5mA |
| Входной резистор | - |
| Соотношение сопротивлений резисторов | - |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 70mA 150mW поверхностный монтаж SOT-563