Транзистор предварительное смещение 50V SOT-23
Артикул: C260852
Part Number: DDTC114ECA-7-F
Производитель: DIODES
от 0.073900 ₽
В наличии: 4430 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.136000 ₽ |
| 50 шт. | 0.109300 ₽ |
| 150 шт. | 0.096000 ₽ |
| 500 шт. | 0.085900 ₽ |
| 3000 шт. | 0.077900 ₽ |
| 6000 шт. | 0.073900 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 30 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.9V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 1.1V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 100mV |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 200mW поверхностный монтаж SOT-23