12 В электронный предохранитель
Артикул: C260429
Part Number: NIS5132MN1TXG
Производитель: onsemi
от 0.952200 ₽
В наличии: 53 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.004200 ₽ |
| 10 шт. | 0.981500 ₽ |
| 30 шт. | 0.966800 ₽ |
| 100 шт. | 0.952200 ₽ |
Характеристики
| Тип полевого транзистора | Integrated FET |
| Количество каналов | - |
| Пороговое напряжение | - |
| Ток срабатывания | - |
| Пиковый выходной ток отдачи (Source) | - |
| Пиковый выходной ток поглощения (Sink) | 17uA |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 44mΩ |
| Напряжение питания | 9V~18V |
| Длина | 3mm |
| Ширина | 3mm |
| Высота | 0.9mm |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Особенности | Overcurrent Protection;Short-Circuit Protection;Overvoltage clamping protection;Thermal Protection;Overload protection;Under-voltage lockout |
Описание
9V~18V DFN-10(3x3) регулирование и управление током RoHS