650V CoolSiC MOSFET G2
Артикул: C25949769
Part Number: IMZA65R015M2HXKSA1
Производитель: Infineon
от 14.553100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 18.514500 ₽ |
| 10 шт. | 17.582100 ₽ |
| 30 шт. | 15.963800 ₽ |
| 90 шт. | 14.553100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 103A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 341W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 18mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 79nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.792nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 16pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 269pF |
Описание
650V 103A 5.6V 341W 18mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247-4 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS