Кремний эпитаксиальный-основание NPN мощность транзисторы in монолитный дарлингтона конфигурация
Артикул: C25836734
Part Number: BD681
Производитель: YFW
от 0.088800 ₽
В наличии: 230 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.174500 ₽ |
| 50 шт. | 0.136800 ₽ |
| 150 шт. | 0.120700 ₽ |
| 500 шт. | 0.103100 ₽ |
| 2500 шт. | 0.094200 ₽ |
| 5000 шт. | 0.088800 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 100V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 40W |
| Ток коллектора (Ic) | 4A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 750 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.5V@1.5A,30mA |
| Ток отсечки коллектора | 200uA |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) | - |
| Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
Описание
100V 750 4A NPN TO-126 одиночные биполярные транзисторы RoHS