onsemi H11G2M
Артикул: C258237
Part Number: H11G2M
Производитель: onsemi
от 0.557500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.856900 ₽ |
| 10 шт. | 0.734100 ₽ |
| 30 шт. | 0.672600 ₽ |
| 100 шт. | 0.612700 ₽ |
| 500 шт. | 0.575900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.557500 ₽ |
Характеристики
| Тип входа | DC |
| Прямое напряжение (Vf) | 1.3V |
| Тип выхода | Darlington Transistor |
| Количество каналов | 1 |
| Напряжение изоляции (В, действующее значение) | 4.17kV |
| Выходной ток | - |
| Напряжение нагрузки | 80V |
| Обратное напряжение | 6V |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 850mV@50mA,16mA |
| Время нарастания | - |
| Время спада | - |
| Особенности | Darlington output structure |
Описание
850mV@50mA,16mA 80V 6V 1.3V DC DIP-6 оптоизоляторы с транзисторным и фотовольтаическим выходом RoHS