NPN дарлингтона транзистор

NPN дарлингтона транзистор

Артикул: C258198 Part Number: BCV27 Производитель: onsemi
от 0.034200 ₽ В наличии: 13230 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
10 шт. 0.070100 ₽
100 шт. 0.054600 ₽
300 шт. 0.046900 ₽
3000 шт. 0.041100 ₽
6000 шт. 0.036500 ₽
9000 шт. 0.034200 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 30V
Ток коллектора (Ic) 1.2A
Рассеиваемая мощность (Pd) 350mW
Рабочая температура -55℃~+150℃@(Tj)
Коэффициент усиления по постоянному току 20000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1V
Ток отсечки коллектора 100nA
Напряжение эмиттер–база VEBO 10V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) 1.5V
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) -
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 220MHz

Описание

30V 20000 1.2A NPN SOT-23 одиночные биполярные транзисторы RoHS