PNP дарлингтона транзистор

PNP дарлингтона транзистор

Артикул: C255591 Part Number: BCV26 Производитель: onsemi
от 0.075600 ₽ В наличии: 5 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.139000 ₽
50 шт. 0.114200 ₽
150 шт. 0.101800 ₽
500 шт. 0.092500 ₽
3000 шт. 0.079300 ₽
6000 шт. 0.075600 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип PNP
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 30V
Ток коллектора (Ic) 1.2A
Рассеиваемая мощность (Pd) 350mW
Рабочая температура -55℃~+150℃@(Tj)
Коэффициент усиления по постоянному току 20000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1V
Ток отсечки коллектора 100nA
Напряжение эмиттер–база VEBO 10V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) 1.5V
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) -
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 220MHz

Описание

30V 20000 1.2A PNP SOT-23 одиночные биполярные транзисторы RoHS