1200V 40mΩ SiC MOSFET

1200V 40mΩ SiC MOSFET

Артикул: C24789229 Part Number: G3R40MT12D Производитель: Navitas
от 16.461800 ₽ В наличии: 3 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 18.682000 ₽
10 шт. 16.461800 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 N-channel
Тип N-Channel
Напряжение сток–исток 1.2kV
Непрерывный ток стока (Id) 40A
Рабочая температура -55℃~+175℃
Рассеиваемая мощность (Pd) 203W
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 4V
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 48mΩ
Заряд затвора (Qg) 103nC
Входная ёмкость (Ciss) 1.974nF
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 12.5pF
Выходная ёмкость (Coss) 141pF

Описание

1.2kV 40A 4V 203W 48mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)