Infineon IMBG120R017M2HXTMA1
Артикул: C24177597
Part Number: IMBG120R017M2HXTMA1
Производитель: Infineon
от 21.671000 ₽
В наличии: 1 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 22.345200 ₽ |
| 10 шт. | 21.671000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 107A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 470W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5.1V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 17.1mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 89nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.91nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 11pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 126pF |
Описание
1.2kV 107A 5.1V 470W 17.1mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-263-7 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)