Infineon AIKBE50N65RF5ATMA1
Артикул: C24077884
Part Number: AIKBE50N65RF5ATMA1
Производитель: Infineon
от 14.754900 ₽
В наличии: 3 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 15.214600 ₽ |
| 10 шт. | 15.018100 ₽ |
| 30 шт. | 14.886500 ₽ |
| 100 шт. | 14.754900 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 326W;163W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 96A;65A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | 16uA |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.66V |
| Заряд затвора (Qg) | 108nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4V |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.7nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 340pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 10pF |
| Время задержки включения Td(on) | 16.8ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 136ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 120uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 90uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
650V TO-263-7 одиночные IGBT-транзисторы RoHS