Infineon IMW65R050M2HXKSA1
Артикул: C23767892
Part Number: IMW65R050M2HXKSA1
Производитель: Infineon
от 5.970200 ₽
В наличии: 20 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 8.335000 ₽ |
| 10 шт. | 7.219000 ₽ |
| 30 шт. | 6.538900 ₽ |
| 90 шт. | 5.970200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 38A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 153W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 62mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 22nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 790pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 4.7pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 77pF |
Описание
650V 38A 5.6V 153W 62mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS