1200V 30mΩ SiC MOSFET
Артикул: C23704882
Part Number: G3R30MT12J
Производитель: Navitas
от 17.143800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 21.239000 ₽ |
| 10 шт. | 20.274300 ₽ |
| 30 шт. | 18.601900 ₽ |
| 100 шт. | 17.143800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 55A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 285W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 36mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 137nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.633nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 16.7pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 189pF |
Описание
1.2kV 55A 4V 285W 36mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-263-7 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)