Транзистор предварительное смещение 50V VMT-3
Артикул: C236129
Part Number: LTC043ZMFS8T2L
Производитель: ROHM
от 0.009100 ₽
В наличии: 7920 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 20 шт. | 0.021000 ₽ |
| 200 шт. | 0.016500 ₽ |
| 600 шт. | 0.014100 ₽ |
| 2000 шт. | 0.012600 ₽ |
| 8000 шт. | 0.009800 ₽ |
| 16000 шт. | 0.009100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Тип | NPN |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.1V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 150mV |
| Входной резистор | 4.7kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 10 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 150mW поверхностный монтаж VMT-3