N-канальный JFET
Артикул: C236112
Part Number: 2SK3557-6-TB-E
Производитель: onsemi
от 0.219900 ₽
В наличии: 585 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.409700 ₽ |
| 50 шт. | 0.332200 ₽ |
| 150 шт. | 0.299000 ₽ |
| 500 шт. | 0.249400 ₽ |
| 3000 шт. | 0.231000 ₽ |
| 6000 шт. | 0.219900 ₽ |
Характеристики
| Количество | - |
| Напряжение отсечки затвор–исток (VGS(off)) | 300mV;700mV;1.5V |
| Напряжение пробоя затвор–исток (Vgss) | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | - |
| Рабочая температура | - |
| Ток стока (Idss) | 32mA |
| Входная ёмкость Ciss | 10pF |
| Проходная ёмкость (Crss) | 2.9pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | - |
| Конфигурация | - |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
Описание
32mA 200mW SC-59-3 полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом (JFET) RoHS