SICFET 650V 238A TO-263-7
Артикул: C23402827
Part Number: IMBG65R007M2HXTMA1
Производитель: Infineon
от 34.658300 ₽
В наличии: 6 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 35.855800 ₽ |
| 10 шт. | 34.658300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 238A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 789W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 8.5mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 179nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 6.359nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 35pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 613pF |
Описание
650V 238A 789W TO-263-7