Комплементарный кремний транзисторы, пластик, средний-мощность

Комплементарный кремний транзисторы, пластик, средний-мощность

Артикул: C233759 Part Number: TIP102G Производитель: onsemi
от 1.202900 ₽ В наличии: 126 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 1.894500 ₽
10 шт. 1.625700 ₽
50 шт. 1.476600 ₽
100 шт. 1.309500 ₽
500 шт. 1.235700 ₽
1000 шт. 1.202900 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 100V
Ток коллектора (Ic) 8A
Рассеиваемая мощность (Pd) 2W
Рабочая температура -65℃~+150℃@(Tj)
Коэффициент усиления по постоянному току 1000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 2.5V
Ток отсечки коллектора 50uA
Напряжение эмиттер–база VEBO 5V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) -
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) 2.8V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) -

Описание

100V 1000 8A NPN TO-220 одиночные биполярные транзисторы RoHS