Комплементарный дарлингтона мощность транзисторы
Артикул: C233690
Part Number: MJD112T4G
Производитель: onsemi
от 0.250800 ₽
В наличии: 59 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.563800 ₽ |
| 10 шт. | 0.431100 ₽ |
| 30 шт. | 0.372100 ₽ |
| 100 шт. | 0.301600 ₽ |
| 500 шт. | 0.268800 ₽ |
| 1000 шт. | 0.250800 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 100V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 20W |
| Ток коллектора (Ic) | 2A |
| Рабочая температура | -65℃~+150℃@(Tj) |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 1000 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 3V |
| Ток отсечки коллектора | 20uA |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) | 4V |
| Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) | 2.8V |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 25MHz |
Описание
100V 1000 2A NPN TO-252(DPAK) одиночные биполярные транзисторы RoHS