onsemi SMMBTA13LT1G

onsemi SMMBTA13LT1G

Артикул: C232629 Part Number: SMMBTA13LT1G Производитель: onsemi
от 0.044800 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
10 шт. 0.071400 ₽
100 шт. 0.060000 ₽
300 шт. 0.054300 ₽
3000 шт. 0.050000 ₽
6000 шт. 0.046500 ₽
9000 шт. 0.044800 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 30V
Рассеиваемая мощность (Pd) 225mW
Ток коллектора (Ic) 300mA
Рабочая температура -55℃~+150℃@(Tj)
Коэффициент усиления по постоянному току 10000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.5V
Ток отсечки коллектора 100nA
Напряжение эмиттер–база VEBO 10V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) -
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) 2V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 125MHz

Описание

30V 10000 300mA NPN SOT-23 одиночные биполярные транзисторы RoHS