Транзистор предварительное смещение 50V SOT-23
Артикул: C232614
Part Number: MMUN2232LT1G
Производитель: onsemi
от 0.025100 ₽
В наличии: 6280 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 20 шт. | 0.044000 ₽ |
| 200 шт. | 0.035900 ₽ |
| 600 шт. | 0.031400 ₽ |
| 3000 шт. | 0.028700 ₽ |
| 9000 шт. | 0.026300 ₽ |
| 21000 шт. | 0.025100 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 246mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 15 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 2.5V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 1.2V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 200mV |
| Входной резистор | 4.7kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 246mW поверхностный монтаж SOT-23