Дарлингтона транзисторы, PNP кремний
Артикул: C232607
Part Number: MMBTA64LT1G
Производитель: onsemi
от 0.059400 ₽
В наличии: 500 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.119700 ₽ |
| 50 шт. | 0.093800 ₽ |
| 150 шт. | 0.080800 ₽ |
| 500 шт. | 0.071100 ₽ |
| 3000 шт. | 0.063300 ₽ |
| 6000 шт. | 0.059400 ₽ |
Характеристики
| Тип | PNP |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 30V |
| Ток коллектора (Ic) | 500mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 225mW |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 20000@5V,100mA |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.5V@100mA,100uA |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 10V |
| Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) | - |
| Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) | 2V |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 125MHz |
Описание
30V 20000@5V,100mA 500mA PNP SOT-23 одиночные биполярные транзисторы RoHS